【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的数据存储系统中普遍需要能够存储高容量数据的半导体器件。因此，正在研究用于增大半导体器件的数据存储容量的方法。例如，已经提出包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体器件，作为用于增大半导体器件的数据存储容量的方法之一。
技术实现思路
1、本公开的一方面是提供具有改善的制造工艺并具有改善的电特性和可靠性的半导体器件。
2、根据本公开的一方面，一种半导体器件包括：堆叠结构，在第一区域和第二区域中，包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此间隔开的栅电极；多个分隔区域，在第一区域和第二区域中，延伸穿过堆叠结构并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；多个沟道结构，在第一区域的单元区域中，延伸穿过堆叠结构；多个虚设沟道结构，在第一区域的缓冲区域中，延伸穿过堆叠结构；以及多个支撑结构，在第二区域中，延伸穿过堆叠结构。第一区域和第二区域在第二方向上依次布置，所述多个分隔区域包括在垂直于第一方向和第二...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一分隔区域和所述第二虚设组之间的距离等于在所述第二分隔区域和所述第二虚设组之间的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一分隔区域和所述第二分隔区域之间，所述多个虚设沟道结构还包括第三虚设组，所述第三虚设组在所述第一虚设组和所述第二虚设组之间并包括在所述第三方向上依次布置的第三虚设沟道结构，以及
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一虚设组中的所述第一虚设沟道结构的数量、所述第二虚设组中的所述第二虚设沟道结构的数量和所述第三虚设组中...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一分隔区域和所述第二虚设组之间的距离等于在所述第二分隔区域和所述第二虚设组之间的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一分隔区域和所述第二分隔区域之间，所述多个虚设沟道结构还包括第三虚设组，所述第三虚设组在所述第一虚设组和所述第二虚设组之间并包括在所述第三方向上依次布置的第三虚设沟道结构，以及
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一虚设组中的所述第一虚设沟道结构的数量、所述第二虚设组中的所述第二虚设沟道结构的数量和所述第三虚设组中的所述第三虚设沟道结构的数量彼此不同。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在所述第一分隔区域和所述第二虚设组之间在所述第三方向上的距离与在所述第一分隔区域和所述第三虚设组之间在所述第三方向上的距离之间的差值与在所述第二虚设组和所述第三虚设组之间在所述第二方向上的距离的比率等于在所述第一分隔区域和所述第三虚设组之间在所述第三方向上的所述距离与在所述第一分隔区域和所述第一虚设组之间在所述第三方向上的距离之间的差值与在所述第一虚设组和所述第三虚设组之间在所述第二方向上的距离的比率。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在所述第一分隔区域和所述第二虚设组之间在所述第三方向上的距离与在所述第一分隔区域和所述第三虚设组之间在所述第三方向上的距离之间的差值与在所述第二虚设组和所述第三虚设组之间在所述第二方向上的距离的比率不同于在所述第一分隔区域和所述第三虚设组之间在所述第三方向上的所述距离与在所述第一分隔区域和所述第一虚设组之间在所述第三方向上的距离之间的差值与在所述第一虚设组和所述第三虚设组之间在所述第二方向上的距离的比率。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一虚设沟道结构中的相邻第一虚设沟道结构之间在所述第三方向上的第一间隔大于在所述第二虚设沟道结构中的相邻第二虚设沟道结构之间在所述第三方向上的第二间隔。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一分隔区域和所述第二分隔区域中的至少一个在所述第一区域...
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