一种紫外光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该紫外光电探测器，包括外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中，外延层、沟道层和势垒层自下而上层叠设置；沟道层和势垒层形成透明电极；阳电极设置在外延层上，阳电极和透明电极呈相互交叉的叉指型分布方式排列；阴电极设置在势垒层上；介质层位于沟道层上对势垒层的叉指部形成包围结构，以隔离阳电极与阴电极。在本发明专利技术中，采用金属叉指与透明叉指交替排布，能够扩大单次光刻电极间距，降低金属剥离难度，利用介质层在阴电极和阳电极之形起到隔离效果，防止阴阳电极短路，从而降低了紫外光电探测器的暗电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光电子器件，具体涉及一种紫外光电探测器及其制备方法。

技术介绍

1、光线入射时不同折射系数物质所镀成的薄膜，产生某种特殊光学特性，具体而言，每种材料对于不同波长的光会表现出独特的光学特性，而材料的参数不同，也会产生不同的滤波效果，因此，通过选择合适的介质薄膜以及调整介质薄膜的材料参数，可实现探测器对特定波长入射光的选择性吸收。同时，在探测器的制备过程中，刻蚀工艺可以阻断二维电子气，降低暗电流，但也不可避免地会在材料表面引入一些缺陷和不稳定的表面态，这些表面态会增加光生载流子的复合。

2、gan hemt结构探测器具有独特的优势，由于其中二维电子气的存在，能够制得高响应的紫外探测器。然而，这种探测器的响应度若要进一步提高，则在很大程度上依赖于电极间距的减小。电极间距的减小可以增强电场强度，提高载流子的收集效率，从而提升探测器的响应度。但是，由于受到当前工艺水平的限制，在减小电极间距的过程中极易形成短路现象。这是因为随着电极间距的不断减小，制造过程中的精度要求变得极高，任何微小的工艺偏差都可能导致电极之间的距离过近，从而引发短路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紫外光电探测器，其特征在于，包括：外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中，

2.根据权利要求1所述的紫外光电探测器，其特征在于，所述沟道层的材料为非故意掺杂GaN或AlXGa(1-X)N，其中X在20％～50％之间。

3.根据权利要求1所述的紫外光电探测器，其特征在于，所述沟道层包括连接的第一沟道部和第二沟道部，所述第一沟道部位于所述外延层的上表面的一侧，所述第二沟道部包括多个平行设置的条状沟道层形成叉指部，所述条状沟道层的一端均与所述第一沟道部连接。

4.根据权利要求3所述的紫外光电探测器，其特征在于，所述势垒层包括连接的第一势...

【技术特征摘要】

1.一种紫外光电探测器，其特征在于，包括：外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中，

2.根据权利要求1所述的紫外光电探测器，其特征在于，所述沟道层的材料为非故意掺杂gan或alxga(1-x)n，其中x在20％～50％之间。

3.根据权利要求1所述的紫外光电探测器，其特征在于，所述沟道层包括连接的第一沟道部和第二沟道部，所述第一沟道部位于所述外延层的上表面的一侧，所述第二沟道部包括多个平行设置的条状沟道层形成叉指部，所述条状沟道层的一端均与所述第一沟道部连接。

4.根据权利要求3所述的紫外光电探测器，其特征在于，所述势垒层包括连接的第一势垒部和第二势垒部，所述第一势垒部位于所述第一沟道部的上表面，所述第二势垒部包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳媛，黎伟正，罗祎航，黄永，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：