【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件及装置，具体而言，涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、随着ar/vr(增强现实技术/虚拟现实技术)市场的逐渐扩大，micro led(微发光二极管)在ar/vr中的应用需求也日益增长。并且在应用端追求更佳小巧轻便的过程中，microled的尺寸需求也逐渐减小。
2、micro led产品在ar/vr应用中，对芯片的尺寸要求较高，芯片尺寸常在5um、2um，甚至2um以下。为了尽可能的满足芯片小型化的需求，micro led产品的封装结构一般采用垂直结构。垂直芯片结构中，主要出光方向一般称为轴向(也即外延结构背面至正面的方向)，轴向出光面设置有电极结构，出光面的电极结构会遮挡部分出光面，在一定程度上影响产品的发光亮度。尤其对于芯片尺寸在2um以下时，出光面的尺寸也会缩小，此时出光面的电极结构几乎将整个出光面完全遮挡，严重影响产品的发光亮度。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，其优化了光的提取效率，减少了因电极遮挡而导致的
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)具有倾斜的侧壁。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁相对于所述外延结构(2)的背面的夹角范围为30°～70°。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁设置有粗化结构(24)。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化结构(24)的高低差范围为0.1～0.5um。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括透...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)具有倾斜的侧壁。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁相对于所述外延结构(2)的背面的夹角范围为30°～70°。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁设置有粗化结构(24)。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化结构(24)的高低差范围为0.1～0.5um。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括透镜(6)，覆盖住所述外延结构(2)的正面和至少部分侧壁，用于将所述外延结构(2)中射出的部分光线导向轴向。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括透明封装层(7)，至少覆盖住所述外延结构(2)的表面。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括第二电极(8)，形成在所述衬底(1)背面一侧与所述第一半导体层(21)导电连接。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层(4)完全覆盖所述第二半导体层(23)的表面。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，至少所述第一电极(3)下方对应的所述第一反射层(4)的背面设置有倾斜结构(41)。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜结构(41)关于所述第一电极(3)中心位置所在轴向中心线呈对称结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，杨洋，郭桓邵，彭钰仁，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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