【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及半导体制造装置。
技术介绍
1、半导体制造装置有时在载置半导体晶圆的工作台与半导体晶圆的背面电连接。
2、但是，当在半导体晶圆的背面侧形成有绝缘层时，工作台无法与半导体晶圆的基板电连接。在这种情况下，无法在半导体制造装置中对半导体晶圆的电特性进行测定。
3、另一方面，当除去半导体晶圆的背面侧的绝缘层时，产生半导体晶圆的表面应力与背面应力的差，半导体晶圆会变形。在这种情况下，难以在半导体制造工序中进行半导体晶圆的搬运。
技术实现思路
1、本实施方式的半导体制造装置具备支承半导体晶圆的工作台。探针卡位于工作台的上方。第一电极由导电性材料构成，在工作台上从工作台的外侧朝向中心可动，能够与半导体晶圆的侧面接触。
2、根据本实施方式，能够提供即使在半导体晶圆的背面具有绝缘层，也能够对半导体晶圆的电特性进行测定的半导体制造装置。
【技术保护点】
1.一种半导体制造装置，其中，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
6.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，
7.根据权利要求5所述的半导体制造装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其
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【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，其中，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
6.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，
7.根据权利要求5所述的半导体制造装置，其中，
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