【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及电子光学,特别涉及一种分束器及其制造方法、多束带电粒子系统、装置。
技术介绍
1、带电粒子装置可用于显微成像、电子刻绘、半导体工艺缺陷检测、掩膜板检测、电子束曝光等场景。由于带电粒子装置中使用的是带电粒子,比如,电子,这些带电粒子具有远小于紫外光子的波长,因此,可以提供优于由玻璃透镜或者塑料透镜等光学透镜组成的光学装置的分辨率。随着对带电粒子装置的分辨率、工作速率等要求的提高,带电粒子装置由使用单束带电粒子束的单束带电粒子装置发展成为了使用多束带电粒子束的多束带电粒子装置。
2、通常,多束带电粒子装置包括多束带电粒子系统和置物台,置物台用于安装待处理物件,多束带电粒子系统用于生成多束带电粒子束并使多束带电粒子在置物台上安装的待处理物件上聚焦。多束带电粒子系统可以包括粒子源、准直器(collimator)、分束器和聚焦镜,粒子源用于生成初始带电粒子束,准直器和分束器沿粒子源生成的初始带电粒子束的束路径依次布置。准直器用于对粒子源生成的初始带电粒子束进行扩束和准直,分束器具有多孔阵列,多孔阵列包括多个相互间隔的通
...【技术保护点】
1.一种分束器,其特征在于,包括衬底层和第一金属膜层;
2.根据权利要求1所述的分束器,其特征在于,所述衬底层的电阻率小于或者等于0.001Ω·cm。
3.根据权利要求1或2所述的分束器,其特征在于,所述衬底层由半导体材料制成。
4.根据权利要求3所述的分束器,其特征在于,所述衬底层的掺杂浓度大于或者等于1019cm-3。
5.根据权利要求1-4任一项所述的分束器,其特征在于,所述第一金属膜层的厚度小于或者等于10um。
6.根据权利要求1-5任一项所述的分束器,其特征在于,所述第一金属膜层由钼、钽、铝和氮化
...【技术特征摘要】
1.一种分束器,其特征在于,包括衬底层和第一金属膜层;
2.根据权利要求1所述的分束器,其特征在于,所述衬底层的电阻率小于或者等于0.001ω·cm。
3.根据权利要求1或2所述的分束器,其特征在于,所述衬底层由半导体材料制成。
4.根据权利要求3所述的分束器,其特征在于,所述衬底层的掺杂浓度大于或者等于1019cm-3。
5.根据权利要求1-4任一项所述的分束器,其特征在于,所述第一金属膜层的厚度小于或者等于10um。
6.根据权利要求1-5任一项所述的分束器,其特征在于,所述第一金属膜层由钼、钽、铝和氮化钛中的至少一种材料制成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的分束器,其特征在于,所述第一金属膜层包括开孔区域和与所述开孔区域的外边缘相连的连接区域,所述连接区域围绕所述开孔区域一周;
8.根据权利要求1-7任一项所述的分束器,其特征在于,还包括加强层,所述加强层叠置在所述第二表面,所述衬底层与所述加强层相连。
9.根据权利要求8所述的分束器,其特征在于,所述加强层和所述第一金属膜层由相同的材料制成。
10.根据权利要求1-9任一...
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