【技术实现步骤摘要】
在本专利文件中公开的技术和实施方式总体上涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法，并且更特别地涉及包括层间层和介电层的半导体设备以及用于制造该半导体设备的方法。
技术介绍
1、对具有甚至更高集成度的半导体设备的需求持续不减，然而，设计集成电路(ic)的难度呈指数增大，因此需要新的创新解决方案。
2、更具体地，在半导体设备的开发期间，每单位芯片面积包括的设备数量迅速增大，同时每个设备的尺寸逐渐减小，并且半导体设备中的这种高集成度导致集成电路(ic)处理和ic制造的复杂度增大。
3、例如，随着每个半导体设备的尺寸减小，可以在一个衬底中提供(多个)p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管和(多个)n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。
4、pmos晶体管和nmos晶体管可能由于它们的操作特性而需要不同的阈值电压，并且可能改变介电层的性质或调整设置在衬底与介电层之间的层间层的厚度，从而调整阈值电压。
技术实现思路
1、所公开的技术的各种实施例涉及一种半导体设备...
【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
4.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
5.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
6.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中：
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括：
10.一种用于制造半导体设备的方法，包括：
11.根据权利要求10所述
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
4.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
5.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
6.根据权利要求2所述的半导体设备，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中：
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中：
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹荣广，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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