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本公开涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法。一种半导体设备包括：半导体衬底，其形成为包括第一有源区和第二有源区；第一介电层，其设置在第一有源区上方；第二介电层，其设置在第二有源区上方；第一栅极电极，其设置在第一介电层上方；以及第二栅极...
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