【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硒硫化锑太阳能电池领域，具体涉及到一种新的后硒化策略增强硒硫化锑太阳能电池效率的方法。
技术介绍
1、近年来，能源危机和环境问题正受到越来越多的关注，因为不可再生能源的大量消耗和环境污染已经给全球社会带来了巨大的威胁。随着盲目开发不可再生能源，资源开始衰竭，人们开始寻求一种绿色资源来实现环境的可持续发展。太阳能是一种清洁可再生能源，备受关注。光伏发电技术中至关重要的一环是太阳能光伏电池，它可以根据其吸收层材料分为三代。第一代为硅系太阳能电池，第二代为薄膜太阳能电池，第三代为新概念太阳能电池，包括高倍聚光电池、有机太阳能电池、柔性太阳能电池和染料敏化纳米太阳能电池，其中，除去高倍聚光电池已经开始小范围应用，其他技术仍处于实验室阶段。目前，硅系太阳能电池仍占市场主要地位。薄膜太阳电池因其原材料消耗少、柔性可卷曲等优势成为了光伏发电的重要形式和研究热点。铜铟镓硒和碲化镉薄膜太阳电池的转换效率已超过22％，并且已进行产业化生产，钙钛矿薄膜太阳电池在实验室中效率已媲美晶体硅太阳电池，例如钙钛矿叠层薄膜太阳电池转换效率已经达到24.9...
【技术保护点】
1.一种基于后硒化和水热沉积方法制备硫化镉的光伏器件，其特征在于，所述电池结构包括：
2.如权利要求1所述的电子传输层采用硫化镉(CdS)。
3.一种在FTO衬底导电面基于后硒化和水热沉积方法制备硫化镉的光伏器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.如权利要求3所述的步骤(2)，其特征在于，水热沉积温度为70℃，水热沉积时间为40min，；电子传输层的厚度约为100nm，电子传输层的退火温度约为450℃。
5.如权利要求3所述的步骤(3)，其特征在于，优选地，前驱体溶液为半水合酒石酸锑钾和五水合硫代硫酸钠的混合液。<...
【技术特征摘要】
1.一种基于后硒化和水热沉积方法制备硫化镉的光伏器件，其特征在于，所述电池结构包括：
2.如权利要求1所述的电子传输层采用硫化镉(cds)。
3.一种在fto衬底导电面基于后硒化和水热沉积方法制备硫化镉的光伏器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.如权利要求3所述的步骤(2)，其特征在于，水热沉积温度为70℃，水热沉积时间为40min，；电子传输层的厚度约为100nm，电子传输层的退火温度约为45...
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