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一种基于薄膜太阳能电池的后硒化钝化缺陷方法技术
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文档序号:44523616
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本发明提供一种基于后硒化和水热沉积方法硫化镉的制备薄膜太阳能电池的方法。利用水热沉积方法制备硫化镉可以改善硫化镉薄膜的形貌,水热沉积方法制备的硫化镉薄膜形貌致密、干净和透明。后硒化的硒硫化锑薄膜使结晶度提高,缺陷减少。所述薄膜太阳能电池包括...
该专利属于天津工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津工业大学授权不得商用。
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