【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种中压晶体管结构，特别是涉及一种利用在基底上方设置导电结构来缩小间距的中压晶体管结构及其制作方法。
技术介绍
1、相较于液晶显示面板而言，有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板具有制作工艺简单、视角广、成本低、厚度薄、操作温度范围广及可自身发光等优点。因此，有机发光二极管即可作为显示面板中的像素，并且已经有逐渐取代液晶显示面板的趋势。
2、随着用户对于显示装置画质的追求，以及有机发光二极管显示装置设计和制作工艺技术的成熟，有机发光二极管面板上所具有的单位像素日益增加，使得有机发光二极管的像素之间的间距需要减小。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种缩小间距的中压晶体管，特别适合作为主动阵列有机发光二极管的开关元件。
2、根据本专利技术的一优选实施例，一种中压晶体管结构包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一源极轻掺杂区和一漏极轻掺杂区埋入于栅极结构的两侧的基底中，一导电结构接触漏极轻掺杂区...
【技术保护点】
1.一种中压晶体管结构，包含：
2.如权利要求1所述的中压晶体管结构，其中该栅极结构包含中压介电层、第一多晶硅层和第一金属硅化物由下至上设置于该基底上，该导电结构包含第二多晶硅层和第二金属硅化物由下至上设置该基底上，该第二多晶硅层接触该漏极轻掺杂区。
3.如权利要求1所述的中压晶体管结构，其中该栅极结构包含中压介电层、第一多晶硅层和第一金属硅化物由下至上设置于该基底上，该导电结构包含低压介电层、第二多晶硅层和第二金属硅化物由下至上设置于该基底上，该低压介电层接触该漏极轻掺杂区。
4.如权利要求3所述的中压晶体管结构，其中该中压介电层...
【技术特征摘要】
1.一种中压晶体管结构，包含：
2.如权利要求1所述的中压晶体管结构，其中该栅极结构包含中压介电层、第一多晶硅层和第一金属硅化物由下至上设置于该基底上，该导电结构包含第二多晶硅层和第二金属硅化物由下至上设置该基底上，该第二多晶硅层接触该漏极轻掺杂区。
3.如权利要求1所述的中压晶体管结构，其中该栅极结构包含中压介电层、第一多晶硅层和第一金属硅化物由下至上设置于该基底上，该导电结构包含低压介电层、第二多晶硅层和第二金属硅化物由下至上设置于该基底上，该低压介电层接触该漏极轻掺杂区。
4.如权利要求3所述的中压晶体管结构，其中该中压介电层的厚度大于该低压介电层的厚度。
5.如权利要求1所述的中压晶体管结构，其中该栅极结构的上表面和该导电结构的上表面切齐。
6.如权利要求1所述的中压晶体管结构，还包含源极掺杂区设置在该源极轻掺杂区中，其中该漏极轻掺杂区中没有设置漏极掺杂区。
7.如权利要求1所述的中压晶体管结构，其中该第二间隙壁接触该漏极轻掺杂区。
8.一种中压晶体管的布局，包含：
9.如权利要求8所述的中压晶体管的布局，还包含第一间隙壁环绕该栅极结构以及第二间隙壁环绕该导电结构，其中该第一间隙壁接触该第二间隙壁。
10.如权利要求8所述的中压晶体管的布局，还包含：源极轻掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：李信宏，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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