半导体结构的形成方法技术

技术编号:44431252 阅读:18 留言:0更新日期:2025-02-28 18:43
一种半导体结构的形成方法,方法包括:提供衬底;在所述衬底的顶部形成牺牲层;在所述衬底和牺牲层中形成沟槽;在所述沟槽的侧壁和底部形成辅助层,所述辅助层的侧壁与所述辅助层的底部相垂直;在所述沟槽的剩余空间中形成第一沟道层,所述第一沟道层覆盖所述辅助层的侧壁和底部、以及所述牺牲层的顶部;对高于所述衬底顶部的第一沟道层和牺牲层进行平坦化处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法


技术介绍

1、在半导体制造中,随着超大规模集成电路的发展趋势,集成电路特征尺寸持续减小,为了适应更小的特征尺寸,金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)的沟道长度也相应不断缩短。然而,随着器件沟道长度的缩短,器件源极与漏极间的距离也随之缩短,因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差,栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大,使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象,即所谓的短沟道效应(sce:short-channel effects)更容易发生。

2、现有技术中为了克服短沟道效应,促进半导体技术的发展,不同器件之间采用不同材料的沟道,以满足各自性能的需求,例如,通过将沟道材料换成了锗化硅(sige)材料,由于锗化硅材料具有高的空穴迁移率,通常是硅(si)材料的空穴迁移率的6~25倍,因此通过将锗化硅材料作为沟道区的材料,就可以大大提高器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,高于所述沟槽底面的所述辅助层和衬底构成第二沟道层;

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在形成所述牺牲层之后,在形成所述沟槽之前,还包括:在所述牺牲层的顶部形成刻蚀停止层;

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述刻蚀停止层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述沟槽的工艺包括干法刻蚀工艺。

>6.如权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,高于所述沟槽底面的所述辅助层和衬底构成第二沟道层;

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在形成所述牺牲层之后,在形成所述沟槽之前,还包括:在所述牺牲层的顶部形成刻蚀停止层;

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述刻蚀停止层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述沟槽的工艺包括干法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在所述沟槽的侧壁和底部形成辅助层的步骤包括:在所述沟槽的底部和侧壁进行生长处理,形成所述辅助层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述生长处理的工艺包括外延工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述辅助层的材料包括si和sic中的一种或两种。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭程马晔城汪刘建赵振阳纪世良张海洋
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1