【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造中,随着超大规模集成电路的发展趋势,集成电路特征尺寸持续减小,为了适应更小的特征尺寸,金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)的沟道长度也相应不断缩短。然而,随着器件沟道长度的缩短,器件源极与漏极间的距离也随之缩短,因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差,栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大,使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象,即所谓的短沟道效应(sce:short-channel effects)更容易发生。
2、现有技术中为了克服短沟道效应,促进半导体技术的发展,不同器件之间采用不同材料的沟道,以满足各自性能的需求,例如,通过将沟道材料换成了锗化硅(sige)材料,由于锗化硅材料具有高的空穴迁移率,通常是硅(si)材料的空穴迁移率的6~25倍,因此通过将锗化硅材料作为沟道区的材
...【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,高于所述沟槽底面的所述辅助层和衬底构成第二沟道层;
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在形成所述牺牲层之后,在形成所述沟槽之前,还包括:在所述牺牲层的顶部形成刻蚀停止层;
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述刻蚀停止层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述沟槽的工艺包括干法刻蚀工艺。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,高于所述沟槽底面的所述辅助层和衬底构成第二沟道层;
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在形成所述牺牲层之后,在形成所述沟槽之前,还包括:在所述牺牲层的顶部形成刻蚀停止层;
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述刻蚀停止层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述沟槽的工艺包括干法刻蚀工艺。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在所述沟槽的侧壁和底部形成辅助层的步骤包括:在所述沟槽的底部和侧壁进行生长处理,形成所述辅助层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述生长处理的工艺包括外延工艺。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述辅助层的材料包括si和sic中的一种或两种。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭程,马晔城,汪刘建,赵振阳,纪世良,张海洋,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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