太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池的制备方法在背面隧穿氧化层上形成非晶硅层，通过扩散掺杂处理在第一过程形成掺杂多晶硅层，并且在第二过程中在掺杂多晶硅层上形成掺杂氧化硅层。形成掺杂氧化硅层之后，采用激光掺杂工艺实现背面选择性重掺，重掺杂区域即形成选择性发射极。一方面，掺杂氧化硅层能够提供充足的杂质离子进行SE掺杂，另一方面，掺杂氧化硅层能够保护隧穿氧化层，减少或避免隧穿氧化层激光掺杂SE过程中被破坏，使其能够起到良好的钝化效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法。

技术介绍

1、在光伏领域中，topcon电池(隧穿氧化层钝化接触电池)的前表面与常规perc电池(发射极背面钝化电池)类似，topcon电池的特点在于背面设置有一层隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上设置有一层掺杂多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片背表面提供良好的界面钝化。

2、se工艺为选择性发射极技术，是在栅线与硅片的接触位置进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂，一方面可以减少硅片和栅线之间的接触电阻，降低电池的串联电阻，另一方面，低掺杂区可以降低表面复合，提高少子寿命，从而提高电池的短路电流和开路电压。

3、在传统技术中，先沉积轻掺杂的第一硅层，再在此基础上沉积重掺杂的第二硅层，随后按照金属化图案去除非金属化图案区域的第二硅层，由于第二硅层和第一硅层本质上都是硅，区别只是掺杂浓度的不同，所以无论采用什么方式去除，工艺窗口均难以控制，容易将第一硅层也去除，露出硅基底，失去背面钝化结构。

技术实现思路p>

1、基于此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法符合以下特征(1)～(2)中的至少一项：

3.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述第二过程中，控制所述掺杂氧化层的厚度为80nm～120nm。

4.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法符合以下特征(1)～(2)中的至少一项：

5.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法符合以下特征(1)～(3)中的至少一项：

6.如权利要求1～5中任一项所述...

【技术特征摘要】

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法符合以下特征(1)～(2)中的至少一项：

3.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述第二过程中，控制所述掺杂氧化层的厚度为80nm～120nm。

4.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法符合以下特征(1)～(2)中的至少一项：

5.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法符合以下特征(1)～(3)中的至少一项：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：任勇，方超炎，陈德爽，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：