【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
1、近年来发光二极管芯片工艺在各大厂商竞争下快速发展，被广泛地应用于通用照明、特种照明、直显显示屏、背光显示屏、车灯等各个领域。
2、现有技术中，现有的倒装发光二极管芯片在超大电流下使用时会出现芯片内部温度高，四周温度低，这种温度不均的问题，导致无法将倒装发光二极管芯片作为车灯应用。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，可以有效解决上述现有技术中的不足。
2、一种倒装发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：
3、s1，提供一生长所需的衬底，在所述衬底上依次沉积n型半导体层、有源发光层以及p型半导体层；
4、s2，在所述p型半导体层表面涂布光刻胶，然后利用曝光、显影工艺去除掉部分光刻胶，形成光刻胶的隔离道以及n型导电通孔的光刻胶掩膜，暴露出部分p型半导体层，然后利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉暴露出的部分p型半导体...
【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述电流扩展层的具体工艺为：
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述切割道的具体工艺为：
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层通孔的具体工艺为：
5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述P型导电金属层的具体工艺为：
6.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述电流扩展层的具体工艺为：
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述切割道的具体工艺为：
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层通孔的具体工艺为：
5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述p型导电金属层的具体工艺为：
6.根据权利要求1所述的倒装发光二...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，邹燕玲，张存磊，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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