【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种双极性结型晶体管(bjt)器件。
技术介绍
1、在bcd工艺中(bcd工艺是一种单片集成工艺技术，它将双极晶体管(bipolar)、cmos和dmos器件集成到同一芯片上)，在传统垂直型npn型和pnp型bjt器件中，参考图1所示，由于基区电阻的存在，当bjt器件发射结处于正偏状态时，基极电流在基区200中横向流动时，就会在基区电阻上产生一定的电压降，使发射区100下方各点的电位不一样，导致发射结边缘处的电位较高，发射结中心处的电位较低，发射结电流集中在发射结边缘，即发射极电流集边效应。由于发射极电流集边效应的存在，使得发射结的面积不能被充分利用，降低了发射极的注入效率，使得bjt器件的电流增益变小。
2、传统bjt器件会在发射极的边缘设有sab保护环300(金属硅化物阻挡层)，sab保护环会使发射结边缘处不能形成碱金属硅化物，使得发射极边缘处接触电阻增大，能从一定程度上缓解电流集边效应，但该方法并不能显著地抑制电流集边效应。
3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专...
【技术保护点】
1.一种双极性结型晶体管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述隔离层部分覆盖所述第二重掺杂区。
3.根据权利要求2所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述第二间隔空间的宽度范围为0.5μm-2μm。
4.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述隔离层与所述第一浅槽隔离结构相接设置。
5.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述隔离层通过硅局部氧化隔离工艺形成。
6.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种双极性结型晶体管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述隔离层部分覆盖所述第二重掺杂区。
3.根据权利要求2所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述第二间隔空间的宽度范围为0.5μm-2μm。
4.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述隔离层与所述第一浅槽隔离结构相接设置。
5.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述隔离层通过硅局部氧化隔离工艺形成。
6.根据权利要求1所述的双极性结型晶体管器件，其特征在于，所述第一阱区为双极性结型晶体管器件的集电区，通过所述第一重掺杂区将所述第一阱区引出至所...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔永久，陈莉芬，张雪璠，汪海旸，马小波，李明，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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