【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管。
技术介绍
1、在集成电路的应用过程中，各类器件的性能会受到各层材料之间的所形成的先后关系影响，尤其是场效应晶体管，因为各层材料之间的形成时间不同，影响了器件的电学性能。
2、当前的场效应晶体管中，尤其是针对短沟道器件，通常是在工艺早期就进行ldd(lightly doped drain)离子注入形成轻掺杂区，然而会受到本身的退火的影响，并且还会受到后续的其他工艺中的热处理的影响，进而影响了器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决的技术问题是：提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，能有效减少其他工艺对ldd离子注入的影响，进而提升器件的性能。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种场效应晶体管的制造方法，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包括衬底、设置在所述衬底上的介质层，其中，所述衬底中设置有阱区，且所述介质层中形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构对应所...
【技术保护点】
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
<...【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡建祥，王亢，李少剑，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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