【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、射频技术被广泛应用于生活中的各种方面，比如射频开关等半导体器件。但随着半导体器件频率的不断升高，半导体器件的寄生电容较大，导致半导体器件的射频性能急剧下降。
技术实现思路
1、本申请提供的半导体器件及其制备方法，旨在解决半导体器件的寄生电容较大，导致半导体器件的射频性能急剧下降的问题。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件的制备方法，该方法包括：提供半导体基体；所述半导体基体包括层叠设置的衬底和第一层结构，所述第一层结构中形成有气隙孔；在所述气隙孔内形成多孔填充物；所述多孔填充物填满所述气隙孔，且所述多孔填充物的介电常数小于所述第一层结构的介电常数；形成第二层结构，所述第二层结构覆盖所述第一层结构和所述多孔填充物。
3、在本申请一个实施例中，所述第一层结构包括电介质材料层、设于所述电介质材料层内的多个接触插塞和多个互连层；
4、所述气隙孔形成于所述...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
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