温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供半导体基体，半导体基体包括衬底和衬底上的第一层结构，第一层结构中形成有气隙孔；在气隙孔内形成多孔填充物，多孔填充物填满气隙孔，且多孔填充物的介电常数小于第一层结构的介电常...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。