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本发明公开了场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，包括：提供半导体基体，半导体基体包括衬底、设置在衬底上的介质层，其中，衬底中设置有阱区，且介质层中形成有伪栅极结构，伪栅极结构对应阱区；移除伪栅极结构，在阱区中形成轻掺杂区，并阱区之上形成栅...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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