温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种双极性结型晶体管(BJT)器件，通过第二重掺杂区与第一浅槽隔离结构的间隔设置以及两者间隔空间内的隔离层的设置，降低了基区电阻压降的影响，有效地抑制了发射极电流集边效应。同时，由于第二重掺杂区远离第一浅槽隔离结构，能够有效降低...
该专利属于思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。