【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种叠层结构及其制备方法、半导体器件。
技术介绍
1、半导体功率器件以其优异的电学性能，广泛应用在电力转换、汽车电子及航空航天等领域。这些器件通常需要工作在高温、高湿和高压的环境下，这些条件对器件的性能和寿命提出了严峻的挑战。其中，绝缘保护层作为一种常用的绝缘和保护材料，在半导体功率器件中广泛应用于表面涂层。然而，绝缘保护层在长时间暴露于高温和潮湿环境下，容易出现微裂纹。这些裂纹的存在会成为水汽侵入的通道，进而引发内部金属化层的腐蚀问题。金属层的腐蚀不仅降低了器件的导电性能，还可能导致器件在高压应用中的早期失效。此外，半导体功率器件在高温高压的工作条件下，器件内部的热应力和电场应力共同作用，也会加速绝缘保护层的破坏过程，从而加剧了器件的老化问题。因此，开发新的技术解决方案，用以增强半导体功率器件表面的保护层，阻止水汽渗透并抑制金属腐蚀，对提高器件的整体性能和可靠性具有重要意义。
2、综上所述，亟需发展一种新的半导体功率器件制造技术，特别是一种改进的表面处理技术，以提高器件在高温、高湿和高压环境中
【技术保护点】
1.一种叠层结构，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上的介质层，以及位于所述介质层的第一表面且沿背离所述介质层的方向依次层叠的第一金属层、绝缘保护层、第二金属层；
2.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述基底包括如下特征中任意一个：
3.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层的材质相同或不同。
4.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第二金属层的厚度大于所述绝缘保护层的厚度；
5.根据权利要求1-4任一项所述的叠层结构，其特征在于，包括如下特征中至少一个：
<...【技术特征摘要】
1.一种叠层结构，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上的介质层，以及位于所述介质层的第一表面且沿背离所述介质层的方向依次层叠的第一金属层、绝缘保护层、第二金属层；
2.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述基底包括如下特征中任意一个：
3.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层的材质相同或不同。
4.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第二金属层的厚度大于所述绝缘保护层的厚度；
5.根据权利要求1-4任一项所述的叠层...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵永华，朱普磊，张洪月，杨俊，黄秀洪，邹耀辉，
申请(专利权)人：广东芯粤能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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