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本申请涉及一种叠层结构及其制备方法、半导体器件，结构包括：基底、位于基底上的介质层，以及位于介质层的第一表面且沿背离介质层的方向依次层叠的第一金属层、绝缘保护层、第二金属层；其中，第一金属层的纵截面呈具有目标锐角的“直角梯形”，绝缘保护层位...
该专利属于广东芯粤能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯粤能半导体有限公司授权不得商用。

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