本发明专利技术提供可获得高耐热性的数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有５５～７０％的ＳｉＯ↓［２］、２．５～９％的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、０～１０％的ＭｇＯ、０～７％的ＣａＯ、０．５～１０％的ＳｒＯ、０～１２．５％的ＢａＯ、０～２．５％的ＴｉＯ↓［２］、０．５～３．７％的ＺｒＯ↓［２］、０～２．５％的Ｌｉ↓［２］Ｏ、０～８％的Ｎａ↓［２］Ｏ、２～８％的Ｋ↓［２］Ｏ、０．５～５％的Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和ＺｒＯ↓［２］的合计含量（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］＋ＺｒＯ↓［２］）为１２％以下，Ｌｉ↓［２］Ｏ、Ｎａ↓［２］Ｏ和Ｋ↓［２］Ｏ的合计含量Ｒ↓［２］Ｏ为１２％以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及被用于磁盘、光盘等数据存储介质的玻璃基板、该玻璃及 磁盘。
技术介绍
作为磁盘、光盘等数据存储介质基板用玻璃，例如使用高杨氏模量的 含锂硅铝酸盐类玻璃或对其进行了化学强化处理而获得的玻璃(例如参照 专利文献1)，或者使用对具有特定组成的玻璃进行热处理使结晶层析出的结晶化玻璃(例如参照专利文献2)。近年，随着硬盘驱动器的存储容量的增大，以高速度进行了高记录密 度化。但是，随着高记录密度化的发展，出现了磁性粒子的微细化有损热 稳定性、串音(crosstalk)及重放信号的SN比下降的问题。因此，作为光 和磁的融合技术，热辅助磁记录技术受到注目。它是在对磁记录层照射激 光或近场光(near-field light)使局部加热部分的矫顽力下降的状态下施 加外部磁场来进行记录，再通过GMR元件等读出记录磁化的技术。由于可 记录于高矫顽力介质，因此能够在保持热稳定性的同时将磁性粒子微细化。 但是，将高矫顽力介质形成为多层膜时，必须要对基板进行充分地加热， 因此需要高耐热基板。专利文献1:日本专利特开2001-180969号公报专利文献2:日本专利特开2000-119042号公报专利技术的揭示化学强化处理用基板玻璃为了有效地实施化学强化处理其耐热性被降低， 将所述高矫顽力介质形成为多层膜时的加热可能会导致其发生翘曲。此外，如 果对化学强化处理玻璃基板进行所述加热，则经离子交换处理的交换层因该加热而扩散，强度可能会下降。此外，如果希望使用结晶化玻璃基板，则因结晶层和基体的热膨胀系数不 同，所述加热可能会导致基板表面变形。本专利技术的目的是提供即使不实施化学强化处理或结晶化处理也能够获得 高耐热性的数据存储介质基板用玻璃、数据存储介质用玻璃基板及磁盘。本专利技术提供一种数据存储介质基板用玻璃(以下称为本专利技术的玻璃)， 该玻璃的特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有55 70%的Si02、 2. 5 9%的A1203、 0 10X的Mg0、 0 7X的CaO、 0. 5 10X的SrO、 0 12. 5%的BaO、 0 2. 5%的Ti02、 0. 5 3. 7%的Zr02、 0 2. 5%的Li20、 0 8%的Na20、 2 8%的K20、 0. 5 5%的La203，八1203禾口 Zr02的合计含量 (Al203+Zr02)为12%以下，Li20、 Na20和K20的合计含量R20为12%以下。 此外，提供下述数据存储介质基板用玻璃(以下称为第1玻璃或玻璃1) ，该玻璃的特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有55 70 %的Si02、 2. 5 9%的A1203、 0 10%的MgO、 0 7%的CaO、 1 10%的 SrO、 0. 5 12.5%的BaO、 0 2.5%的Ti02、 0. 5 3. 7%的Zr02、 0 2. 5 %的Li20、 0 5%的Na20、 2 8%的K20、 0. 5 5%的La203， Al203 + Zr02 为12%以下，SrO和BaO的合计含量与Li20含量的差值为2%以上，R20为 10%以下。此外，提供下述数据存储介质基板用玻璃(以下称为第2玻璃或玻璃2) ，该玻璃的特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有60 70 X的Si02、 2. 5 9%的A1203、 2 10X的MgO、 0 7X的CaO、 0. 5 10%的 SrO、 0 5%的BaO、 0 1%的Ti02、 1 3. 7%的Zr02、 0 2. 5%的Li20、 2 8%的Na20、 2 8%的K20、 0. 5 3%的La203，八1203 + 21~02为12%以下，MgO、 CaO、 SrO及BaO的合计含量RO为10。％以上，&0为12%以下。另外，还提供由所述数据存储介质基板用玻璃形成的数据存储介质用玻璃 基板。还提供在所述数据存储介质用玻璃基板上形成有磁记录层的磁盘。 利用本专利技术，即使未实施化学强化处理或结晶化处理，也能够获得适合于 热辅助磁记录的高耐热性数据存储介质用玻璃基板。利用本专利技术的较好实施方式，可获得碱金属氧化物含量少的玻璃，可期待 玻璃基板的耐候性的提高。此外，可获得具有与现有的玻璃基板相同程度的热膨胀系数的玻璃基板。 另外，使浮法成形成为可能，适合于玻璃基板的大规模生产。另外，可获得杨氏模量(E)为75GPa以上的玻璃，玻璃基板不易挠曲，存 储容量增大，即使存储介质受到冲击也不易破裂。另外，如果E为90GPa以下，则容易进行玻璃基板的研磨加工。 另外，可减小最终研磨加工后的玻璃表面粗糙度。附图的简单说明附图说明图1是表示Al^含量与Zr02、 K20及1^203的合计含量之积除以MgO、 CaO、 SrO及BaO的合计含量所得的值(Al(ZrKLa)/RO)和粘度达到104dPa*s 时的温度与液相温度的差值AT的关系的图。图2是表示MgO和CaO的合计含量与La203和Ti02的合计含量之积除以 Zr02含量所得的值((((MgO+CaO)X(La203+Ti02))+Zr02)，单位摩尔％)和 进行玻璃的小角X射线散射测定而得的散射峰强度(任意单位)的关系的图。图3是表示进行玻璃的小角X射线散射测定而得的散射峰强度(任意单 位)和经研磨的玻璃的通过原子力显微镜测得的表面粗糙度Ra(单位nm) 的关系的图。实施专利技术的最佳方式本专利技术的数据存储介质用玻璃基板典型的是厚度为0. 5 1. 5ram、直径 为48 93mm的圆形玻璃板，磁盘用玻璃基板等中通常在其中央形成直径 15 25mm的孔。本专利技术的磁盘中，在本专利技术的数据存储介质用玻璃基板的主表面至少 形成作为磁记录层的磁性层，除此以外可根据需要形成底层、保护层、润 滑层、凹凸控制层等。对于本专利技术的数据存储介质用玻璃基板的制造方法无特别限定。例如， 按照目标组成调和常用的各成分的原料，用玻璃烙融窑将其加热熔融，然后通过鼓泡、搅拌、澄清剂的添加等将熔融玻璃均质化，再利用公知的浮 法、加压法或下引法等方法将本专利技术的数据存储介质基板用玻璃成形为规 定厚度的平板玻璃。接着进行退火，再根据需要进行研削、研磨等加工而 形成为规定尺寸和形状的玻璃基板。作为成形法，优选适合于大规模生产 的浮法。本专利技术的玻璃的玻璃化温度(Tg)较好为66(TC以上。如果低于660°C， 则可能很难采用在磁性层形成时进行的热处理温度较高的所述热辅助磁记 录技术。更好为680。C以上，特好为690。C以上，特别希望提高耐热性的情 况下，该玻璃化温度优选为70(TC以上。Tg典型的为74(TC以下。本专利技术的玻璃在50 35(TC下的平均线膨胀系数(a)较好是75X10—7 。C以上。d如果低于75Xl(T广C，则小于目前使用的玻璃的a ，另一方面， 安装在基板上的插孔的金属的a典型的是100X10—7'C以上，因此插孔和玻 璃基板的a的差变大，玻璃基板可能易破碎。a更好为76X10—7'C以上， 特好为77X10—V。C以上，最好为78X10—V。C以上，典型的是90X10—7°。以下。本专利技术的玻璃的粘度达到104dPa s时的温度(T4)和液相温度(T,)之差 AT(二T4一TJ较好为一7(TC以上。如果低于一70本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种数据存储介质基板用玻璃，其特征在于，以基于下述氧化物的摩尔百分率表示含有５５～７０％的ＳｉＯ↓［２］、２．５～９％的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、０～１０％的ＭｇＯ、０～７％的ＣａＯ、０．５～１０％的ＳｒＯ、０～１２．５％的ＢａＯ、０～２．５％的ＴｉＯ↓［２］、０．５～３．７％的ＺｒＯ↓［２］、０～２．５％的Ｌｉ↓［２］Ｏ、０～８％的Ｎａ↓［２］Ｏ、２～８％的Ｋ↓［２］Ｏ、０．５～５％的Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和ＺｒＯ↓［２］的合计含量（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］＋ＺｒＯ↓［２］）为１２％以下，Ｌｉ↓［２］Ｏ、Ｎａ↓［２］Ｏ和Ｋ↓［２］Ｏ的合计含量Ｒ↓［２］Ｏ为１２％以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：长嶋达雄，永井研辅，中岛哲也，前田敬，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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