横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法技术

本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成体区；于衬底上形成注入掩蔽结构，注入掩蔽结构覆盖于衬底的部分表面；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的正投影内；由体区至衬底边缘的方向，注入掩蔽结构沿第一方向的厚度递减；第一方向平行于衬底的厚度方向；于衬底内形成漂移区；漂移区与体区邻接，由体区至衬底边缘的方向，漂移区沿第一方向的深度递增。如此，一方面，有利于降低漂移区靠近沟道区一端的电场，提升器件的可靠性；另一方面，有利于降低Kirk效应，提升开态击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、功率器件中横向扩散金属氧化物半导体场效应管(lateral double-diffusedmosfet，ldmos)具有开关速度快、输出功率大、线性增益高、耐久性好等优点，同时ldmos器件基于成熟的硅工艺，使得其制作成本较低，所以ldmos器件逐渐取代硅双极型功率器件，广泛应用在电源管理、显示驱动及汽车电子等领域中。在目前的ldmos器件中，漂移区浓度偏低导致漂移区耗尽偏快，器件kirk效应增强，开态击穿电压降低，漂移区浓度偏高导致漂移区靠近沟道区的一端耗尽偏慢，电场增强，降低器件可靠性。如何兼顾开态击穿电压和器件可靠性成为亟需解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述至少一个问题，提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。

2、为了实现上述至少一个目的，第一方面，本申请实施例提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，该制备方法包括：

3、提供衬底；

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成注入掩蔽结构，所述注入掩蔽结构覆盖于所述衬底的部分表面的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述阻挡层和所述第一光刻胶层进行刻蚀，以形成所述注入掩蔽结构的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度之比介于0.3-0.7；

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成注入掩蔽结构，所述注入掩蔽结构覆盖于所述衬底的部分表面的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述阻挡层和所述第一光刻胶层进行刻蚀，以形成所述注入掩蔽结构的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度之比介于0.3-0.7；

5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，采用相同注入能量于所述衬底内一次注入掺杂离子，以形成所述漂移区。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金华俊，宋亮，刘新新，袁玫，王亚南，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：