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本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成体区；于衬底上形成注入掩蔽结构，注入掩蔽结构覆盖于衬底的部分表面；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的正投影内；由体区至衬底边缘的方向...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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