【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种存储单元、存储器及数据读取方法、擦除方法、电子设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，用于计算机和其他电子设备中，以存储需要快速访问的数据。与静态随机存取存储器相比，其具有结构简单、制造成本较低以及存储密度较高等优点，是现代计算系统的重要组成部分。
2、目前，常见的dram存储器的存储单元为一个晶体管连接一个电容结构，即1t1c(1transistor 1capacitor)存储单元结构，这种结构需要不断地刷新电容中的电荷以保证数据不会丢失，功耗较大，且电容的制造工艺占用面积较大，器件尺寸的微缩性受到限制。
3、为了克服1t0c存储单元的弊端，双晶体管无电容动态随机存储器(2transistor0capacitor，2t0c)使用了两个晶体管作为存储单元结构，其中写晶体管的源漏极连接到读晶体管的栅极，利用栅极存储电荷，以改变晶体管跨导存储信息。在现有的2t0c存储单元组成的dram中，写晶...
【技术保护点】
1.一种存储单元，形成于衬底上方，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述写栅介质结构随形包覆在所述写栅极结构的表面。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述写沟道结构包括套筒和填充体，所述套筒随形包覆所述填充体的侧壁和下端面，所述套筒的上表面不低于所述填充体的上表面；所述套筒与所述写栅介质结构相接触。
4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述套筒的材料包括铟镓锌氧化物，所述填充体的材料包括铟锌氧化物。
5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述读栅极结构的材料...
【技术特征摘要】
1.一种存储单元，形成于衬底上方，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述写栅介质结构随形包覆在所述写栅极结构的表面。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述写沟道结构包括套筒和填充体，所述套筒随形包覆所述填充体的侧壁和下端面，所述套筒的上表面不低于所述填充体的上表面；所述套筒与所述写栅介质结构相接触。
4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述套筒的材料包括铟镓锌氧化物，所述填充体的材料包括铟锌氧化物。
5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述读栅极结构的材料包括铟锌氧化物，所述读沟道结构的材料为铟镓锌氧化物。
6.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第二源漏区与所述读栅极结构通过第一导电块实现导电连接，所述第一导电块的下端面与所述读栅极结构的上端面相接触，所述第一导电块的上端面与所述第二源漏区相接触；所述第一导电块与所述读沟道结构之间绝缘。
7.一种存储器，其特征在于，形成于衬底上，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述写字线和所述栅极结构的材料相同，所述写字线和所述栅极结构一体成型。
9.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，在每个所述第一源漏区上还依次设有第二导电块和第一连接线，所述第一连接线沿所述第一方向延伸，相邻两根所述第一连接线之...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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