【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)的存储单元中，存取晶体管(access transistor)负责控制存储电容的充放电。传统平面晶体管的沟道水平排布，会限制存储单元尺寸的微缩。而垂直沟道晶体管(vertical channel transistor，vct)的沟道垂直于衬底表面，这种设计允许vct在垂直方向堆叠，能够显著减少单元面积，还能够可缩短存取晶体管与存储电容之间的电荷传输路径，降低漏电流。
2、目前在制备gaa(gate allaround，全环绕栅极)型vct的沟道孔时，通常先形成栅极，再刻蚀形成沟道孔，然后在沟道孔内形成栅介质层和保护层，再刻蚀打开沟道孔底部并暴露出源/漏极(位线)，去除保护层后形成覆盖于栅介质层和源/漏极上的沟道层。但是上述制备方法，在刻蚀形成沟道孔时刻蚀深度难以控制地完全一致，在栅介质层表面形成保护层再刻蚀打开沟道孔时会自然形成l形的形貌，从而使最终形成的沟道...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一部分在任意方向上的尺寸均大于所述沟道孔在该方向上的尺寸，所述第二部分在所述第三方向上的尺寸小于所述沟道孔在所述第三方向上的尺寸。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟道孔的横截面为圆形，所述第一部分的横截面为矩形，所述第二部分的横截面为矩形。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述沟道孔之后，所述方法还包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一部分在任意方向上的尺寸均大于所述沟道孔在该方向上的尺寸，所述第二部分在所述第三方向上的尺寸小于所述沟道孔在所述第三方向上的尺寸。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟道孔的横截面为圆形，所述第一部分的横截面为矩形，所述第二部分的横截面为矩形。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述沟道孔之后，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：仇俊文，杨乾，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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