温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种存储单元、存储器及数据读取方法、擦除方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该存储单元包括：写晶体管和读晶体管和擦除单元；写晶体管和读晶体管均为垂直结构晶体管；写晶体管包括写沟道结构和写栅极结构，写沟道结构包括第一源漏区、写沟道...
该专利属于深圳市昇维旭技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市昇维旭技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。