【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、当将特征蚀刻到现有结构中或在例如处理室中的衬底上沉积薄膜时，一些半导体处理系统可以采用等离子体。例如，等离子体增强化学气相沉积(pecvd)是一种用于在衬底上沉积从气态(例如，蒸气态)到固态的薄膜的等离子体沉积。在等离子体蚀刻中，可使由一或更多种工艺气体产生的高能量和/或反应性物质轰击表面和/或与表面反应以从其去除材料，并且由此蚀刻表面。在沉积期间，可以使用设置在衬底上方的喷头将一或更多种工艺气体输送至处理室。诸如射频(rf)功率之类的功率可以被供应到喷头或电极以在邻近衬底的区域中产生等离子体。等离子体中的高能量电子游离或解离反应气体以产生更多化学活性自由基，这些自由基会反应以在衬底上形成薄膜。以此方式，由等离子体提供的能量可用于降低工艺温度，否则该工艺温度将为反应提供热刺激。然而，值得注意的是，处理室中其他位置处的反应气体可能被激发而产生不必要的(或寄生)等离子体。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开内容的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定...
【技术保护点】
1.一种被配置成减轻与等离子体增强工艺相关的寄生等离子体产生的装置，所述装置包含：
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述环形屏蔽结构包含多个环形屏蔽环，所述环形屏蔽环在所述径向方向上彼此间隔开所述最大尺寸，使得所述开口由所述环形屏蔽环之间的所述间隔限定。
4.根据权利要求1所述的装置，其还包含：
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述环形屏蔽结构和所述环形支撑结构经由卡口式接合件能拆卸地彼此耦合。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述卡口式接合件包含：
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种被配置成减轻与等离子体增强工艺相关的寄生等离子体产生的装置，所述装置包含：
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述环形屏蔽结构包含多个环形屏蔽环，所述环形屏蔽环在所述径向方向上彼此间隔开所述最大尺寸，使得所述开口由所述环形屏蔽环之间的所述间隔限定。
4.根据权利要求1所述的装置，其还包含：
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述环形屏蔽结构和所述环形支撑结构经由卡口式接合件能拆卸地彼此耦合。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述卡口式接合件包含：
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个突出部包括至少三个突出部。
8.根据权利要求6或7所述的装置，其中：
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述环形屏蔽环的所述上表面在所述轴向方向上彼此偏移，使得所述环形屏蔽环的所述上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：约吉斯·巴巴尔，萨姆·贾法里安德黑兰尼，大卫·弗伦奇，崎山行则，程伟锋，基思·约瑟夫·马丁，安德鲁·H·布伦宁格，柯蒂斯·W·贝利，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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