一种光罩及其制作方法技术

本公开提供了一种光罩及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供初始光罩；基于待加工半导体结构的结构信息和第一数据库，确定目标图形的图形参数；基于图形参数，于初始光罩的目标区域形成目标图形，得到目标光罩。本公开中，基于待加工半导体结构的结构信息和第一数据库，确定目标图形，并将目标图形形成于初始光罩的目标区域以得到目标光罩，目标图形能够改变目标区域的透光率，从而改变曝光速度，进而控制光刻胶被曝光去除的深度，当目标区域均设置有多个目标图形时，通过一次曝光即可在光刻胶层中形成不同深度的光刻胶，进而形成三维结构的待加工半导体结构，减少了曝光次数，提升了生产效率，并且，减少光罩数量从而降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种光罩及其制作方法。

技术介绍

1、半导体结构正朝着三维(3d)结构发展，三维结构具有更高的集成密度，能够提供更强的性能，但是，三维结构的半导体结构具有更繁琐的制作步骤。

2、目前通常使用光刻技术制作半导体结构，使用相关技术中的光罩(mask)对半导体结构上的光刻胶进行曝光时，存在制作工序繁琐，效率低。并且，每道工序都需要有对应的光罩，使得光罩的数量巨大，导致成本增加。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开的第一方面，提供了一种光罩的制作方法，包括：

3、提供初始光罩；

4、基于待加工半导体结构的结构信息和第一数据库，确定目标图形的图形参数，其中，所述目标图形用于调节所述初始光罩的目标区域的透光率，所述第一数据库用于表征所述结构信息与所述图形参数之间的对应关系，所述图形参数包括所述目标图形包含的多个子图形的密度；

5、基于所述图形参数，于所述初始光罩的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光罩的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述第一数据库包括第一子数据库和第二子数据库，所述基于待加工半导体结构的结构信息和第一数据库，确定目标图形的图形参数，包括：

3.根据权利要求2所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述基于所述结构信息，确定所述待加工半导体结构上与所述目标区域对应的光刻胶层的目标厚度，包括：

4.根据权利要求1所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述图形参数还包括所述目标图形包含的多个所述子图形的形状和尺寸。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光罩的制作方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种光罩的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述第一数据库包括第一子数据库和第二子数据库，所述基于待加工半导体结构的结构信息和第一数据库，确定目标图形的图形参数，包括：

3.根据权利要求2所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述基于所述结构信息，确定所述待加工半导体结构上与所述目标区域对应的光刻胶层的目标厚度，包括：

4.根据权利要求1所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述图形参数还包括所述目标图形包含的多个所述子图形的形状和尺寸。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光罩的制作方法，其特征在于，所述目...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雪，
申请(专利权)人：合光光掩模科技安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：