【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体存储，具体涉及一种采用含氟多孔有机聚合物存储、递送电子特气的方法。
技术介绍
1、电子特气作为集成电路、半导体等产业的关键基础原料，在半导体芯片生产中的离子注入、刻蚀、掺杂、封装等多个工艺流程中起到关键作用。三氟化硼、四氟化锗等离子注入用的含氟电子特气具有高毒性、强腐蚀性，传统高压钢瓶存储方式存在严重泄漏风险，业界一般采用负压存储、输送的方式使用电子特气。常见的特气负压存储方式为利用装填在气体钢瓶内的吸附剂对电子特气进行可逆吸附，钢瓶内的气体呈负压状态，将需要使用电子特气时，将电子特气从吸附剂中解吸下来并进行递送。
2、公开号为cn115770548a的专利说明书提供了全硅分子筛吸附剂在特种气体存储中的应用，所述全硅分子筛吸附剂具有多级孔结构，所述多级孔结构包括介孔。多孔吸附剂对于电子特气的负压吸附存储现存有递送容量低、解吸率低的难题，开发高效的吸附剂材料以提升电子特气的负压存储容量与解吸率是关键。金属有机框架材料(metal organicframeworks，mofs)、活性炭等材料在气体存储领域受到广...
【技术保护点】
1.一种采用含氟多孔有机聚合物存储、递送电子特气的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物中氟的质量含量在20％-30％之间，所述含氟多孔有机聚合物的比表面积为500-2500m2 g-1，孔容为0.3-3cm3 g-1；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子特气包括三氟化硼、四氟化锗、砷烷中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物的平均孔径分布在0.5-3nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物的形状包括粉末状、颗粒状、球状、条状、块状、圆柱状、立...
【技术特征摘要】
1.一种采用含氟多孔有机聚合物存储、递送电子特气的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物中氟的质量含量在20％-30％之间，所述含氟多孔有机聚合物的比表面积为500-2500m2 g-1，孔容为0.3-3cm3 g-1；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子特气包括三氟化硼、四氟化锗、砷烷中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物的平均孔径分布在0.5-3nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物的形状包括粉末状、颗粒状、球状、条状、块状、圆柱状、立方体、盘状中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟多孔有机聚合物具有介于0.0...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨立峰，陈森，邢华斌，崔希利，锁显，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
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