组合物及片材制造技术

本发明专利技术涉及一种组合物及片材。本发明专利技术的组合物含有：第一中空粒子，其为热膨胀性的中空粒子；第二中空粒子，其为除了第一中空粒子以外的中空粒子；及聚合性化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种组合物及片材。

技术介绍

1、以低功耗和高速读写为特征的非易失性存储器作为新一代存储器备受关注。例如，已知有相变化内存(pcm：phase change memory)、磁阻式随机存取内存(mram：magnetoresistive random access memory)、可变电阻式内存(reram：resistive randomaccess memory)等。非易失性存储器不耐热，在安装时的回流工序中暴露于高温环境时的品质维持成为课题。

2、针对该课题，例如专利文献1中公开了一种非易失性半导体存储装置，其具备：mram芯片；外围器，覆盖mram芯片的一部分或全部，具有防止存储层的磁化的热波动的绝热区域。

3、以往技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2014-36192号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、但是，在专利文献1中公开的非易失性半导体存储装置，由于作为构成要素之一具备绝热区域，所以在回本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合物，其含有：

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，

6.一种片材，其含有：

7.根据权利要求6所述的片材，其中，

8.根据权利要求6或7所述的片材，其中，

9.根据权利要求6至8中任一项所述的片材，其中，

10.根据权利要求6至9中任一项所述的片材，其中，

【技术特征摘要】

1.一种组合物，其含有：

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：东内智子，横田弘，古川直树，松原望，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：