电阻式存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种电阻式存储器结构及其制造方法。上述电阻式存储器结构包括衬底、介电层、导电插塞、电阻式存储器器件、间隔件与保护层。介电层位于衬底上。导电插塞位于介电层中。导电插塞具有位于介电层的外部的突出部。电阻式存储器器件位于导电插塞上。电阻式存储器器件包括第一电极、可变电阻层与第二电极。第一电极位于导电插塞上。可变电阻层位于第一电极上。第二电极位于可变电阻层上。间隔件位于电阻式存储器器件的侧壁上。保护层位于突出部的侧壁上以及第一电极与介电层之间。上述电阻式存储器结构可提升电阻式存储器器件的可靠度与数据保存能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种电阻式存储器(resistive memory)结构及其制造方法。

技术介绍

1、电阻式存储器器件具备低功耗与高速运作的潜在优势，因此非常适合作为下一世代的存储器器件。然而，如何进一步地提升电阻式存储器器件的可靠度与数据保存能力为不断努力的目标。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种电阻式存储器结构及其制造方法，其可提升电阻式存储器器件的可靠度与数据保存能力。

2、本专利技术提出一种电阻式存储器结构，包括衬底、介电层、导电插塞(conductiveplug)、电阻式存储器器件、间隔件(spacer)与保护层。介电层位于衬底上。导电插塞位于介电层中。导电插塞具有位于介电层的外部的突出部。电阻式存储器器件位于导电插塞上。电阻式存储器器件包括第一电极、可变电阻层(variable resistance layer)与第二电极。第一电极位于导电插塞上。可变电阻层位于第一电极上。第二电极位于可变电阻层上。间隔件位于电阻式存储器器件的侧壁上。保护层位于突出本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻式存储器结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述导电插塞的顶面高于所述介电层的顶面。

3.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述导电插塞的顶面与所述保护层的顶面为共平面。

4.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述保护层直接接触所述第一电极、所述介电层与所述突出部。

5.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间隔件直接接触所述第一电极、所述可变电阻层与所述第二电极。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间...

【技术特征摘要】

1.一种电阻式存储器结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述导电插塞的顶面高于所述介电层的顶面。

3.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述导电插塞的顶面与所述保护层的顶面为共平面。

4.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述保护层直接接触所述第一电极、所述介电层与所述突出部。

5.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间隔件直接接触所述第一电极、所述可变电阻层与所述第二电极。

6.根据权利要求5所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间隔件还直接接触所述保护层。

7.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间隔件完全覆盖所述第一电极的侧壁。

8.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间隔件完全覆盖所述可变电阻层的侧壁。

9.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述间隔件的顶部低于所述第二电极的顶面。

10.根据权利要求1所述的电阻式存储器结构，其特征在于，所述第一电极的材料包括钛。

11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王温壬，叶宇寰，王泉富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：