【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在先进动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)工艺的演进中，随着位线/字线(bl/wl)尺寸的缩小，金属层所处的核心区域的尺寸不断缩小。不同于阵列区中布线和空间(line/space)的重复布局(layout)，核心区域的金属层布线布局相对复杂，越来越小尺寸导致制程难度提升且容易带来的金属层和金属层之间的桥接问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、第一导电层，位于所述衬底上，包括间隔设置的第一子导电结构、第二子导电结构和第二导电结构；
5、第二导电层，位于所述第一导电层上；
6、隔离结构，位于所述第一子导电结构和所述第二子导电结构之间且与所述第二导电层连接，用于将所述第一子导电结构与所述第二子导电
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二子介质层沿所述衬底厚度方向的尺寸与所述第二介质层沿所述衬底厚度方向的尺寸之和大于或等于预设值；
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二子介质层沿所述衬底厚度方向的尺寸与所述第二介质层沿所述衬底厚度方向的尺寸之和大于或等于预设值；
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体结构，其特征在于，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李浩然，杨志，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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