【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及沉积设备。
技术介绍
1、在半导体领域中，整片的基片可以通过切割形成半片或者多个小片基片。切割后的表面存在严重的表面缺陷，需要进行表面处理，减少切割面的电荷复合。相关技术中，通过对堆叠的基片进行加热然后镀膜钝化的方式改善切割后的表面缺陷。但是相关的设备是针对整个基片进行加热，切割的表面如果需要加热到工艺温度，需要很长的预热和热传导过程。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种沉积设备，能够提高基片边缘钝化的效率。
2、本申请实施例提供一种沉积设备。沉积设备包括设备主体、载片舟和加热件。设备主体具有工艺腔体。载片舟可拆卸安装于工艺腔体，载片舟用于承载堆叠设置的基片，并且用于将堆叠设置的基片的至少一面遮掩。加热件安装于设备主体，与载片舟的至少其中一面相对且间隔设置，加热件与载片舟之间形成有供工艺气体流过的气流通道，加热件用于加热基片至少一面未被载片舟遮掩的侧面。
3、可选地，载片舟在工艺腔体内设置有多个，加热件设置有多个，多个载片舟与多个加...
【技术保护点】
1.一种沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的沉积设备，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的沉积设备，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的沉积设备，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的沉积设备，其特征在于：
8.根据权利要求6所述的沉积设备，其特征在于：
9.根据权利要求6所述的沉积设备，其特征在于：
10.根据权利要求6所述的沉积设备，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的沉积设备，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的沉积设备，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的沉积设备，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：廖宝臣，王尊，施述鹏，杨柳，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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