氧化镍膜层及其制备方法、钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿光伏电池技术

本发明专利技术公开了氧化镍膜层及其制备方法、钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿光伏电池，氧化镍膜层的制备方法包括：对氧化镍层进行等离子体表面处理，得到氧化镍膜层；所述等离子体表面处理的工艺气体包括惰性气体和还原性气体。等离子体表面处理时选择惰性气体和还原性气体的混合气体作为工艺气体，有利于引导钙钛矿膜层生长时晶粒尺寸提升，有利于提高钙钛矿电池的开路电压、短路电流和效率，同时能够提高寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿光伏电池，具体而言，涉及氧化镍膜层及其制备方法、钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿光伏电池。

技术介绍

1、钙钛矿光伏电池制备技术中，当前一般采用反式p-i-n结构，p型空穴传输层采用氧化镍(niox)材料，价格便宜，具有良好的化学稳定性。

2、但在实际应用过程中，氧化镍膜层与钙钛矿的界面层缺陷会作为复合中心导致空穴载流子与电子的复合，降低电池的输出电压与输出电流；界面层中高价(ni4+)镍离子以及表面缺陷也会对钙钛矿产生催化分解作用。同时，氧化镍膜层由于其疏水性，与钙钛矿的接触面结合能低，导致在氧化镍膜层上制备的钙钛矿层晶粒尺寸小，会进一步降低电池输出电压与输出电流。

3、鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供氧化镍膜层及其制备方法、钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿光伏电池，有利于提高钙钛矿光伏电池的效率。

2、本专利技术是这样实现的：

3、第一方面，本专利技术提供一种氧化镍膜层的制备方法，包括：采用沉积工艺得到氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，包括：采用沉积工艺得到氧化镍膜层，对氧化镍层进行等离子体表面处理，得到氧化镍膜层；所述等离子体表面处理的工艺气体包括惰性气体和还原性气体。

2.根据权利要求1所述的氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，所述工艺气体中还原性气体的体积分数为0.1％～5％；优选地为0.5％～2％；

3.根据权利要求1所述的氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，所述等离子体表面处理的温度为15℃～400℃，时间为10s～10min，功率为0.5kW～5kW，工艺气体的气压为0.2Pa～20Pa；

4.根据权利要求1所述的氧化镍膜层的制备方法...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，包括：采用沉积工艺得到氧化镍膜层，对氧化镍层进行等离子体表面处理，得到氧化镍膜层；所述等离子体表面处理的工艺气体包括惰性气体和还原性气体。

2.根据权利要求1所述的氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，所述工艺气体中还原性气体的体积分数为0.1％～5％；优选地为0.5％～2％；

3.根据权利要求1所述的氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，所述等离子体表面处理的温度为15℃～400℃，时间为10s～10min，功率为0.5kw～5kw，工艺气体的气压为0.2pa～20pa；

4.根据权利要求1所述的氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，所述氧化镍层采用真空镀膜、蒸发镀膜、离子镀膜或溅射镀膜的方式沉积制备得到。

5.根据权利要求4所述的氧化镍膜层的制备方法，其特征在于，所述溅射镀膜的参数包括：镀膜温度为15℃～400℃，镀膜速率为镀膜功率为300w～20kw，工作气体包括惰性气体和氧气，工作气体中氧气的体积分数小于20％，镀膜气压为0.05pa～5pa，靶材为niox靶材或掺杂的niox靶材；优选地，所述溅射镀膜的参数包括：镀膜温度为150℃～200℃，镀膜速率为镀膜功率为3kw～5kw，工作气体中氧气的体积分数为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹤，陈少炜，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：