半导体结构及其制备方法技术

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底；所述衬底包括呈阵列排布的多个有源柱，所述有源柱包括沟道区域，所述沟道区域侧壁具有栅极容置槽；多个栅极；所述栅极包覆对应所述有源柱的所述沟道区域，且所述栅极至少填充所述栅极容置槽。该半导体结构具有较好的栅控能力以及较高的开关比，有利于提升半导体器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着动态随机存储器(dynamic random access memory，简称dram)技术的发展，存储单元的尺寸越来越小，其阵列架构由8f2到6f2再到4f2(f:在给定工艺条件下可获得的最小图案尺寸)。

2、为了尽可能地缩小单个阵列区晶体管面积，追求更高的芯片面积利用率，出现了垂直沟道阵列晶体管(vertical channel transistor，简称vct)技术。然而随着特征尺寸的持续缩小，vct栅控能力会减弱，影响晶体管的开关比及亚阈值摆幅等，进而影响dram读写速度及功耗等性能。因此，在面对vct特征尺寸持续缩小的情况下，如何优化vct的栅控能力，是当前亟需解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，本申请针对现有技术中的不足之处，提供一种半导体结构及其制备方法。

2、一方面，本申请提供了一种半导体结构，包括：

3、衬底；所述衬底包括呈阵列排布的多个有源柱，所述有源柱包括沟道区域，所述沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括填充设置于所述栅极容置槽内的第一部分；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述侧表面垂直于所述上表面及所述下表面。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极容置槽的深度与所述有源柱径向尺寸的比例范围为1/5～1/3。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极还包括与所述第一部分相连的第二部分；

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极的所述第二部分在垂直于所述衬底的方向...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括填充设置于所述栅极容置槽内的第一部分；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述侧表面垂直于所述上表面及所述下表面。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极容置槽的深度与所述有源柱径向尺寸的比例范围为1/5～1/3。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极还包括与所述第一部分相连的第二部分；

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极的所述第二部分在垂直于所述衬底的方向上的尺寸与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁鸿刚，余泳，邵峰，卢亚楠，康卜文，王桂磊，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：