【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法、铁电存储器和电子设备。
技术介绍
1、铁电存储器具有多种功能和可调谐特性，在低功耗传感器、非易失性数据存储及新兴的人工突触等领域有广泛应用前景。
2、但是，目前的铁电存储器包括的铁电层在含氧的情况下，剩余极化值会逐渐降低，该铁电存储器的疲劳特性或保持特性会出现降低的问题。
技术实现思路
1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体结构及其制造方法、铁电存储器和电子设备，用以解决现有铁电存储器的疲劳特性或保持特性降低的技术问题。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、第一隔离层，设置于所述衬底的一侧；
5、铁电层，设置于所述第一隔离层远离所述衬底的一侧；
6、电极层，设置于所述铁电层远离所述第一隔离层的一侧。
7、可选地，所述第一隔离层的材料包括石墨烯。
8、可选地，所述半导体结构包括铁电场效应晶
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括石墨烯。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括铁电场效应晶体管；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述铁电场效应晶体管还包括设置于所述铁电层和所述栅电极层之间的第二隔离层，所述第二隔离层的材料包括石墨烯。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层在所述第一衬底上的正投影与所述第一衬底的沟道区重合。
6.根据权利要求1所述的半导体结构...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括石墨烯。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括铁电场效应晶体管；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述铁电场效应晶体管还包括设置于所述铁电层和所述栅电极层之间的第二隔离层，所述第二隔离层的材料包括石墨烯。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层在所述第一衬底上的正投影与所述第一衬底的沟道区重合。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括铁电电容结构；
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述铁电电容结构还包括第三隔离层，所述第三隔离层设置于所述铁电层和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：马雪丽，项金娟，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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