摄像用的光电转换元件用材料及电转换元件制造技术

提供一种达成摄像用光电转换元件的高感度、高分辨率化的光电转换元件用材料及摄像用光电转换元件。一种光电转换元件用材料，由通式(1)或通式(2)表示；另外，一种摄像用光电转换元件，在两片电极之间具有光电转换层及电子阻挡层，在该些层中的至少一个包含所述材料。环E独立地表示与邻接环在任意的位置进行缩合的由式(1a)表示的杂环。Ar1、Ar2、Ar5及Ar6分别独立地为碳数12～30的二芳基胺基、碳数12～30的芳基杂芳基胺基、碳数12～30的二杂芳基胺基、碳数6～30的芳香族烃基或碳数4～18的杂芳香族基，Ar1、Ar2、Ar5或Ar6中的至少一个为所述胺基或该胺基进一步进行缩环而成者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光电转换元件用材料以及使用其的光电转换元件，尤其涉及一种有效用于摄像设备的光电转换元件用材料。

技术介绍

1、近年来，正推进使用由有机半导体形成的薄膜的有机电子设备的开发。例如，可例示电场发光元件、太阳电池、晶体管元件、光电转换元件等。特别是，该些中，作为基于有机物的电场发光元件的有机电致发光(electroluminescence，el)元件的开发最先进，在推进在智能手机或电视机(television，tv)等中的应用的同时，继续进行以更高功能化为目标的开发。

2、在光电转换元件中，先前，使用硅等无机半导体的p-n结的元件的开发/实用化得以推进，正进行数码相机、智能手机用相机的高功能化研究、于监视用相机、汽车用感测器等中的应用的研究，作为用以应对该些各种用途的课题，列举有高感度化、像素微细化(高分辨率化)。在使用无机半导体的光电转换元件中，为了获得彩色图像，主要采用在光电转换元件的受光部上配置与作为光的三原色的红绿蓝(red green blue，rgb)对应的彩色滤光片的方式。在所述方式中，由于将rgb的彩色滤光片配置在平本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种摄像用的光电转换元件用材料，其中，所述摄像用的光电转换元件用材料由下述通式(1)或通式(2)表示，

2.根据权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，X由O、S或N-(Ar5)p-(Ar6)q表示。

3.根据权利要求2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，Ar1、Ar2、Ar5及Ar6中的至少一个由经取代或未经取代的碳数12～30的二芳基胺基、经取代或未经取代的碳数12～30的芳基杂芳基胺基、或者经取代或未经取代的碳数12～30的二杂芳基胺基表示。

4.根据权利要求3所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，Ar1、Ar2、Ar5及Ar...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种摄像用的光电转换元件用材料，其中，所述摄像用的光电转换元件用材料由下述通式(1)或通式(2)表示，

2.根据权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，x由o、s或n-(ar5)p-(ar6)q表示。

3.根据权利要求2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，ar1、ar2、ar5及ar6中的至少一个由经取代或未经取代的碳数12～30的二芳基胺基、经取代或未经取代的碳数12～30的芳基杂芳基胺基、或者经取代或未经取代的碳数12～30的二杂芳基胺基表示。

4.根据权利要求3所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，ar1、ar2、ar5及ar6中的至少一个由经取代或未经取代的碳数12～30的二芳基胺基、经取代或未经取代的碳数12～27的芳基杂芳基胺基表示。

5.根据权利要求4所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，ar1、ar2、ar5及ar6中的至少两个由经取代或未经取代的碳数12～30的二芳基胺基、经取代或未经取代的碳数12～27的芳基杂芳基胺基表示。

6.根据权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，ar1、ar2、ar5及ar6中的至少一个由所述式(3a)～式(3d)中的任一者表示，其中，ar1及ar5选自所述式(3a)或式(3b)中，ar2及ar6选自所述式(3c)或式(3d)中。

7.根据权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，y由si(rb)2、c(rb)2、o或s中的任一者表示。

8.如权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其中，ar1、ar2、ar5及ar6中的至少两个由所述式(3a)～式(3d)中的任一者表示，其中，ar1独立地选自所述式(3a)或式(3b)中，ar2选自所述式(3c)或式(3d)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上栋智，林健太郎，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：