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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、铁电存储器和电子设备。该半导体结构包括衬底、第一隔离层、铁电层和电极层。第一隔离层设置于衬底的一侧；铁电层设置于第一隔离层远离衬底的一侧；电极层设置于铁电层远离第一隔离层的一侧。本申请实施例中第...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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