【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、在半导体设备制造期间经常使用的一种处理为介电材料的蚀刻，以在其中形成凹陷的特征。可进行此类处理的示例性背景包含，但不限于，存储器应用，例如dram和3d nand结构。随着半导体产业进步及设备尺寸变得更小，此类特征变得越来越难以蚀刻。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本文中的各种实施方案涉及用于将特征蚀刻至衬底中的方法、装置及系统。衬底通常为半导体衬底，且特征被蚀刻至介电材料中。
2、在所公开的实施方案的一方面，提供了一种蚀刻特征至衬底中的方法。所述方法包括：在处理室中接收衬底，所述衬底包括：介电材料，以及硬掩模，其包括较高部分和较低部分，所述较高部分包括碳，而所述较低部分包括选自于由掺杂碳、硅、金属、含金属材料及其组合所构成的群组的至少一种材料，其中所述...
【技术保护点】
1.一种蚀刻特征至衬底中的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度介于约-100℃与约0℃之间，所述第二温度介于约0℃与约100℃之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一温度介于约-60℃与约-20℃之间，所述第二温度介于约20℃与约60℃之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模的所述较低部分包括一或更多种金属，所述一或更多种金属选自于由铝、硼、铬、钴、铪、钼、铌、钌、钽、钛、钨、钒、锆及其组合所构成的群组。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述硬掩模的所述较低部分具有至少约...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种蚀刻特征至衬底中的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度介于约-100℃与约0℃之间，所述第二温度介于约0℃与约100℃之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一温度介于约-60℃与约-20℃之间，所述第二温度介于约20℃与约60℃之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模的所述较低部分包括一或更多种金属，所述一或更多种金属选自于由铝、硼、铬、钴、铪、钼、铌、钌、钽、钛、钨、钒、锆及其组合所构成的群组。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述硬掩模的所述较低部分具有至少约5原子％的金属的组成。
6.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在将所述特征蚀刻到所述衬底中至所述第一深度之后且在将所述特征蚀刻至所述最终深度之前，在所述特征的侧壁上沉积衬垫。
8.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在将所述特征蚀刻到所述衬底中至所述第一深度之后且在将所述特征蚀刻至所述最终深度之前，在所述硬掩模上沉积额外的掩模材料。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模的所述较高部分和所述较低部分是有差别的层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模具有渐变的组成，使得所述硬掩模的所述较高部分的组成渐变至所述硬掩模的所述较低部分的组成。
11.一种用于蚀刻衬底的装置，其包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：索斯藤·贝恩德·莱尔，拉格什·普顿科维拉卡姆，卡普·瑟里什·雷迪，约翰·霍昂，沈美华，吴惠荣，索纳尔·巴达乌里亚，迟昊，亚伦·林恩·罗赞，安东尼·斯凯·于，弗朗西斯·斯隆·罗伯茨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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