衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供通过内表面由含金属材料构成的配管供给包含氧的气体时能抑制由内表面与该气体的反应引起的配管温度上升的技术。具有：(a)在将内表面由含金属材料构成且与处理容器连接的第2配管加热至第1温度以上的状态下经由与前述第2配管不同的第1配管向前述处理容器内供给第1处理气体，从而对收容于前述处理容器内的衬底进行第1处理的工序；和(b)在使前述第2配管的温度降低至比前述第1温度低的第2温度以下的状态下经由前述第2配管向前述处理容器内供给含有氧的第2处理气体，从而对前述衬底进行第2处理的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置。

技术介绍

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开2012/090738号

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本专利技术提供在通过内表面由含金属材料构成的配管供给包含氧的气体时能抑制由内表面与该气体的反应引起的配管温度上升的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其具有：

5、(a)在将内表面由含金属材料构成且与处理容器连接的第2配管加热至第1温度以上的状态下，经由与前述第2配管不同的第1配管向前述处理容器内供给第1处理气体，从而对收容于前述处理容器内的衬底进行第1处理的工序；和

6、(b)在使前述第2配管的温度降低至比前述第1温度低的第2温度以下的状态下，经由前述第2配管向前述处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.衬底处理方法，其具有：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(a)中，不实施所述第2处理气体经由所述第2配管向所述处理容器内的供给。

3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(b)中，不实施所述第1处理气体向所述处理容器内的供给。

4.如权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，(b)中，不实施除所述第2处理气体及非活性气体之外的其他气体向所述处理容器内的供给。

5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1配管的内表面由所述含金属材料构成，

6.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2处理气体为包含...

【技术特征摘要】

1.衬底处理方法，其具有：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(a)中，不实施所述第2处理气体经由所述第2配管向所述处理容器内的供给。

3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(b)中，不实施所述第1处理气体向所述处理容器内的供给。

4.如权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，(b)中，不实施除所述第2处理气体及非活性气体之外的其他气体向所述处理容器内的供给。

5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1配管的内表面由所述含金属材料构成，

6.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2处理气体为包含过氧化氢气体、臭氧气体及经等离子体激发的含氧气体中的至少任一种的气体。

7.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(b)中，将所述第1配管的温度维持为加热至所述第1温度以上的状态。

8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2温度为不发生所述含金属材料与所述第2处理气体的反应的温度。

9.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1温度为发生所述含金属材料与所述第2处理气体的反应的温度。

10.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(a)中，在执行所述第1处理的期间将所述第2配管的温度维持在所述第1温度以上。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：花岛建夫，中岛智志，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：