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本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供通过内表面由含金属材料构成的配管供给包含氧的气体时能抑制由内表面与该气体的反应引起的配管温度上升的技术。具有：(a)在将内表面由含金属材料构成且与处理容器连接的第2配...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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