【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体器件及存储器系统。
技术介绍
1、随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2d或者平面nand闪存的存储密度接近上限。
2、为克服2d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3d nand)，通过将存储单元(memory cell)三维地堆叠在衬底之上来提高存储密度。
3、然而，随着器件堆叠层数增加，存储单元的保持特性一直是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体器件及存储器系统，能够有效解决相关技术中的存储器系统存在的保持特性变差的问题。
2、第一方面，本申请提供一种半导体器件，包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：栅极堆叠结构；沟道结构，位于所述栅极堆叠结构内，所述沟道结构包括电子捕获层；其中，所述电子捕获层包括第一电子捕获材料和第二电子捕获材料，所述第二电子捕获材料的介电常数大于所述第一电子捕获材料的介电常数，所述...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括第一半导体结构，其特征在于，所述第一半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电子捕获材料的导带能级小于所述第一电子捕获材料的导带能级。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电子捕获层包括至少一个电子捕获子层，所述电子捕获子层由所述第一电子捕获材料和所述第二电子捕获材料混合而成。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电子捕获层包括至少一个第一电子捕获层和至少一个第二电子捕获层，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括第一半导体结构，其特征在于，所述第一半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电子捕获材料的导带能级小于所述第一电子捕获材料的导带能级。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电子捕获层包括至少一个电子捕获子层，所述电子捕获子层由所述第一电子捕获材料和所述第二电子捕获材料混合而成。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电子捕获层包括至少一个第一电子捕获层和至少一个第二电子捕获层，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述电子捕获层包括：多个第一电子捕获层，其中，任意相邻的两个所述第一电子捕获层之间设置有一个所述第二电子捕获层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电子捕获层的数量为多个。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道结构还包括：沟道层、遂穿层和电子阻挡层，所述沟道层、所述遂穿层、所述电子捕获层和所述电子阻挡层在第一方...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕全山，宋雅丽，李楷威，褚伟伟，任爱，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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