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本申请提供一种半导体器件及存储器系统，所述半导体器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：栅极堆叠结构和沟道结构，所述沟道结构位于所述栅极堆叠结构内，所述沟道结构包括电子捕获层，其中，所述电子捕获层包括第一电子捕获材料和第二电子捕获材...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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