一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法，应用于半导体制备领域，该预制件包括：层叠设置的待加工半导体器件和阴影掩膜；待加工半导体器件靠向阴影掩膜的第一表面，设置有待加工区域，阴影掩膜沿层叠方向对应形成有裸露出待加工区域的第一通孔；阴影掩膜靠向待加工半导体器件的第二表面，通过图形化热剥离胶与待加工半导体器件连接；图形化热剥离胶为对应第一通孔形成有第二通孔的厚度均匀的热剥离胶。本发明专利技术利用厚度均匀的图形化热剥离胶将待加工半导体器件和阴影掩膜连接，保证了二者连接的稳固性，同时能够提高了二者间隙的一致性，设置的图形化热剥离胶经加热会失效，便于在半导体器件制备完成后与阴影掩膜分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备领域，特别涉及一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法。

技术介绍

1、shadow mask（阴影掩膜）工艺为利用shadow mask作为加工掩膜的工艺，一般作为精密微机械加工的掩膜，用于在真空室内的蒸发和溅射过程中将材料沉积到基底上，具体可以应用在oled（有机发光二极管）面板制造和高分辨率图案化制备等领域。以mems（微机电系统）器件的图形化工艺为例，shadow mask工艺不用光刻刻蚀进行图形化，工艺简单低成本，特别是无需利用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺等处理步骤，能够避免对已形成的mems器件造成损伤。但shadow mask与底部mems结构的对位及固定方式会影响图形化制备精度，现有利用夹具或其他方式在外部将shadow mask与底部mems结构对位固定，但这种固定方式只能在结构外侧的边缘处对二者进行固定，兼容性差，且容易发生滑动；另外在金属沉积等工艺制备过程中，由于shadow mask与mems结构之间的间隙存在不一致的情况，导致沉积过程中容易引起局部压力不平衡，进而影响制备优良率。

2、因本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，所述待加工半导体器件（10）为待加工微机电系统（11），且在所述第一表面处，位于所述待加工区域（12）的外侧形成有镂空结构（13）；

3.根据权利要求2所述的基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，所述第二表面对应设置所述图形化热剥离胶（30）的区域形成有限位凹槽；

4.一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的基于阴影掩膜工艺的半导体预制件制备方法，其特征在于，在...

【技术特征摘要】

1.一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，所述待加工半导体器件（10）为待加工微机电系统（11），且在所述第一表面处，位于所述待加工区域（12）的外侧形成有镂空结构（13）；

3.根据权利要求2所述的基于阴影掩膜工艺的半导体预制件，其特征在于，所述第二表面对应设置所述图形化热剥离胶（30）的区域形成有限位凹槽；

4.一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的基于阴影掩膜工艺的半导体预制件制备方法，其特征在于，在完成基于阴影掩膜工艺的半导体预制件的制备之后，还包括：

6.根据权利要求4所述的基于阴影...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子安，黄兆兴，
申请(专利权)人：烟台齐新半导体技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：