【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，具体涉及一种光学器件真空封装结构。
技术介绍
1、mems(微电子机械)器件由于结构脆弱，一般都需要进行气密性封装，以确保mems结构稳定，功能可靠。尤其是特殊的器件，如mems红外器件、mems加速度计、mems陀螺仪等，需要通入保护气体封装，甚至真空封装。为了进一步降低封装成本，主流封装方式为晶圆级封装，将芯片与窗片整片键合后划片得到单个芯片，但常规晶圆级封装上层窗片受限于刻蚀工艺，窗片内部腔体刻蚀深度有限，导致窗片与芯片之间的腔体距离较小，无法在低成本的同时满足高性能的要求。
2、典型的光学器件晶圆级封装后的单个芯片结构如图1所示，上层窗片1和底层芯片4通过焊料层2气密焊接；窗片1与芯片3之间距离受限于窗片1下表面的腔体刻蚀深度，间距较小，因而成像效果易受窗片1表面缺陷影响造成成品不良；并且窗片1四边裸露无保护，存在封装过程易被损坏风险；同时窗片1面积较大成本较高，晶圆级封装窗片材料可选空间有限，无法满足高性能芯片的要求。
技术实现思路
1、本专...
【技术保护点】
1.一种光学器件真空封装结构，其特征在于：包括窗片、芯片和过渡环，所述过渡环设于所述芯片上表面，且所述过渡环与所述芯片围合形成顶部开口的封装腔体，所述窗片嵌装连接于所述过渡环上，且所述窗片密封所述封装腔体的开口。
2.如权利要求1所述的光学器件真空封装结构，其特征在于：所述封装腔体内设有吸气剂，所述吸气剂与所述芯片的敏感区之间设有用于阻隔吸气剂热辐射到芯片敏感区的隔离结构。
3.如权利要求2所述的光学器件真空封装结构，其特征在于：所述隔离结构为设置于所述过渡环壁体内的隔离腔室，所述隔离腔室与所述封装腔体相连通，所述吸气剂置于所述隔离腔室内。p>
4.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种光学器件真空封装结构，其特征在于：包括窗片、芯片和过渡环，所述过渡环设于所述芯片上表面，且所述过渡环与所述芯片围合形成顶部开口的封装腔体，所述窗片嵌装连接于所述过渡环上，且所述窗片密封所述封装腔体的开口。
2.如权利要求1所述的光学器件真空封装结构，其特征在于：所述封装腔体内设有吸气剂，所述吸气剂与所述芯片的敏感区之间设有用于阻隔吸气剂热辐射到芯片敏感区的隔离结构。
3.如权利要求2所述的光学器件真空封装结构，其特征在于：所述隔离结构为设置于所述过渡环壁体内的隔离腔室，所述隔离腔室与所述封装腔体相连通，所述吸气剂置于所述隔离腔室内。
4.如权利要求3所述的光学器件真空封装结构，其特征在于：所述隔离腔室为由第一竖直段、第一水平段和第二竖直段围合形成的倒u型结构，所述第二竖直段底部与所述芯片连接。
5.如权利要求1所述的光学器件真空封装结构，其特征在于：所述窗片的顶部不高于所述过渡环的顶部。
6.如权利要求1所述的光学器...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，黄立，张严，周黄鹤，王春水，张文华，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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