线圈结构、MEMS器件及线圈结构的制备方法技术

本申请提供一种线圈结构、MEMS器件及线圈结构的制备方法，所述线圈结构包括衬底和设在所述衬底上的线圈。所述衬底的一侧表面开设有向内凹陷的凹槽，所述凹槽的轨迹由所述衬底表面的中心呈螺旋状向所述衬底的外周延伸，所述衬底设有所述凹槽一侧的表面设有薄膜层，所述凹槽内设有所述线圈，所述线圈上或所述凹槽的侧壁上设有应力释放孔。本申请提供的线圈结构、MEMS器件及线圈结构的制备方法能够有效减少线圈在应力变形中对衬底的挤压力，减少了衬底因应力导致的变形或开裂问题的发生，提高了产品质量和产品良率，降低了废品率和生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体设备，尤其是涉及一种线圈结构、mems器件及线圈结构的制备方法。

技术介绍

1、近年，微机电系统(micro-electro-mechanical systems)也即mems，被广泛应用于智能系统、消费电子、可穿戴设备、智能家居系统、生物技术与微流控技术等领域。常见的产品包括mems加速度计、mems麦克风、微马达、微泵、微振子、mems压力传感器、mems陀螺仪、mems湿度传感器等以及它们的集成产品。

2、相较于微电子，mems增加了微纳尺度下的机械结构，通过驱动这些机械结构以达到感测和执行功能。而目前mems芯片的驱动原理主要有静电、压电、电磁以及热电等方式，其中电磁驱动在大驱动力的要求下应用较为广泛。mems电磁驱动常见的一种方式是通过在芯片结构上通过半导体工艺制造集成铜线圈，结合外部增设磁场，利用洛伦兹力实现驱动。

3、线圈的制备通常是在衬底晶圆上通过干法或湿法刻蚀工艺形成沟槽结构，再利用湿法电镀工艺将铜电镀填充在沟槽结构内，最后通过cmp(化学机械抛光)等平整化工艺，形成最终的铜线圈结构。

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【技术保护点】

1.一种线圈结构，用于MEMS器件，其特征在于，所述线圈结构包括衬底(1)和设在所述衬底(1)上的线圈(2)；

2.如权利要求1所述的线圈结构，其特征在于，所述薄膜层(3)包括聚酰亚胺薄膜层、光刻胶薄膜层、氧化铝薄膜层、氧化锆薄膜层、氧化硅薄膜层或氮化硅薄膜层中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的线圈结构，其特征在于，当所述线圈(2)上设有所述应力释放孔(4)时，所述应力释放孔(4)位于所述线圈(2)内部，且所述线圈(2)填满所述凹槽(12)。

4.如权利要求1所述的线圈结构，其特征在于，当所述凹槽(12)的侧壁上设有所述应力释放孔(4)时，所述应力...

【技术特征摘要】

1.一种线圈结构，用于mems器件，其特征在于，所述线圈结构包括衬底(1)和设在所述衬底(1)上的线圈(2)；

2.如权利要求1所述的线圈结构，其特征在于，所述薄膜层(3)包括聚酰亚胺薄膜层、光刻胶薄膜层、氧化铝薄膜层、氧化锆薄膜层、氧化硅薄膜层或氮化硅薄膜层中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的线圈结构，其特征在于，当所述线圈(2)上设有所述应力释放孔(4)时，所述应力释放孔(4)位于所述线圈(2)内部，且所述线圈(2)填满所述凹槽(12)。

4.如权利要求1所述的线圈结构，其特征在于，当所述凹槽(12)的侧壁上设有所述应力释放孔(4)时，所述应力释放孔(4)由所述凹槽(12)的侧壁向所述衬底(1)内凹陷形成，且所述应力释放孔(4)位于所述凹槽(12)的侧壁中部，所述凹槽(12)内除所述释放孔外的其它区域填充有所述线...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯森，
申请(专利权)人：烟台齐新半导体技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：