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本发明公开了一种基于阴影掩膜工艺的半导体预制件及预制件制备方法，应用于半导体制备领域，该预制件包括：层叠设置的待加工半导体器件和阴影掩膜；待加工半导体器件靠向阴影掩膜的第一表面，设置有待加工区域，阴影掩膜沿层叠方向对应形成有裸露出待加工区域...
该专利属于烟台齐新半导体技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过烟台齐新半导体技术研究院有限公司授权不得商用。

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