控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质，所述方法包括：（1）结合前炉材料的X射线衍射结果、光致发光测试结果和源炉束流变化值，对材料生长过程中使用的源炉温度进行调整；（2）结合反射高能电子衍射图像中特定结构出现和消失的温度点，分别对衬底的脱氧温度和外延层的生长温度进行调整；（3）结合束流测试中的V族束流差和生长过程中的生长室真空差异，对V族束流的阀位差进行调整；其中，步骤（1）‑（3）不分先后顺序。本发明专利技术提供的方法通过控制生长过程中各个关键参数并结合相关参数进行调整，实现大规模半导体材料的稳定生长并维持材料的一致性，简化了工艺流程，降低了操作难度，有利于大规模推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光电子器件，涉及一种控制半导体材料稳定生长的方法，尤其涉及一种控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质。

技术介绍

1、近红外波段的应用范围较为广泛，例如：石英光纤在1.31μm和1.55μm分别处于低损耗和低色散窗口，上述两个波长的激光器和探测器广泛地应用于长波光纤通信中。特别是ingaas探测器，因其良好的性能而在光纤通信系统中得到广泛应用，在当前的信息时代中发挥着重要作用。

2、inp基ingaas材料具有较高的吸收系数、高迁移率、较好的物理化学稳定性和抗辐照特性，利用其制备的探测器表现出较高的工作温度、高量子效率、高灵敏度、良好的抗辐照性能等优点，是短波红外探测器的重要选择。ingaas短波红外探测器在航天遥感，如资源调查、大气成分分析和深空探测等领域也具有巨大潜力和广阔的应用前景。

3、总体而言，ingaas探测器的发展主要分为两个方向：一是提高器件性能、增大焦平面的规模；二是向更宽的探测光谱发展，短波方向拓展到可见光范围，长波方向朝着3μm波长发展。

4、近年来，各国为提高近红外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种控制半导体材料稳定生长的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤中的任意一步或至少两步的组合：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括InGaAs材料、AlGaAs材料或InGaSb材料中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述前炉材料包括上一炉材料；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述源炉温度的调整按照以下公式进行：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述反射高能电子衍射图像中特定结构包括2×4重构；

6.根据权利要求5所述的方法...

【技术特征摘要】

1.一种控制半导体材料稳定生长的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤中的任意一步或至少两步的组合：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括ingaas材料、algaas材料或ingasb材料中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述前炉材料包括上一炉材料；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述源炉温度的调整按照以下公式进行：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述反射高能电子衍射图像中特定结构包括2×4重构；

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【专利技术属性】
技术研发人员：王红真，陈海昌，
申请(专利权)人：苏州信越半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：