温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质，所述方法包括：（1）结合前炉材料的X射线衍射结果、光致发光测试结果和源炉束流变化值，对材料生长过程中使用的源炉温度进行调整；（2）结合反射高能电子衍射图像中特定结构出现和消失...
该专利属于苏州信越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州信越半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。